场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N
2024-09-23 16:41
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的电流方向是半导体器件工作中的一个基本特性，它决定了电流在器件内部的
2024-09-23 17:22
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应
2024-09-23 16:38
全部采用N沟道场效应管的推挽功效说明。
2021-04-10 09:52
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的导通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于P沟道场效应管导通条件的详细介绍，旨在全面解析其工作原理和条件要求。
2024-09-23 17:12
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。 为使N沟道场效应管能够正常
2024-01-30 11:38
型号如下：型号：HC240N10LSN沟道场效应管 丝印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封装，内阻200mR 型号：HC160N10LSN
2020-09-23 11:38
