场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为
2024-09-23 16:41
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应
2024-09-23 16:38
全部采用N沟道场效应管的推挽功效说明。
2021-04-10 09:52
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的导通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于P沟道场效应管导通条件的详细介绍，旨在全面解析其工作原理和条件要求。
2024-09-23 17:12
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的电流方向是半导体器件工作中的一个基本特性，它决定了电流在器件内部的流动路径。对于P沟道场效应管而言，其电流方向具有独特性，下面将详细阐述其电流方向及其背后的物理机
2024-09-23 17:22
10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等型号：HC012N06LN沟道场效应管60V50A(50N06 )TO-252封装， 内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、
2020-09-23 11:38
场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的
2023-09-02 10:05
