场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N
2024-09-23 16:41
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应
2024-09-23 16:38
，因此需要进行严格的测试和检测，以确保其可靠性和稳定性。 一、场效应管的类型 场效应管有两种类型：N沟道场效应管（N-c
2023-09-02 11:31
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的导通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于P沟道场效应管导通条件的详细介绍，旨在全面解析其工作原理和条件要求。
2024-09-23 17:12
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的电流方向是半导体器件工作中的一个基本特性，它决定了电流在器件内部的流动路径。对于P沟道场效应管而言，其电流方向具有独特性，下面将详细阐述其电流方向及其背后的物理机
2024-09-23 17:22
场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的信号放大、开关等应用。
2023-09-02 10:05
本文首先介绍了场效应管的特点，其次介绍了场效应管三个引脚区分方法与管脚测定方法，最后介绍了场效应管测量好坏方法。
2018-08-08 15:36
根据提问者的意思，N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？为什么？
2023-05-09 09:06
下图是一个由 RC 电路和 P 沟道场效应管组成的延时关机电路。
2023-02-15 11:06
CS系列N沟道结型场效应管 CS系列结型场效应管的主要特性参数见表16-2 。
2009-08-22 16:01
