属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几
2013-03-27 16:19
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。 为使N沟道场效应管能够正常
2024-01-30 11:38
MOS场效应管的工作原理MOS场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体
2011-06-08 10:43
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-06 16:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-05 11:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-06 16:30
)的结构图。虽然有不同的结构，但其 工作原理是相同的，这里就不一一介绍了。 功率场效应管(MOSFET)的工作原理要使增强型N
2011-12-19 16:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-04 17:48
NDS9410A N沟道场效应管 using Fairchild Semiconductor’s advancedPowerTrench process that has been
2008-05-14 23:50
。二、工作原理N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，现以
2011-12-19 16:41
