N沟道增强型MOSFET N沟道增强型MOSFET的工作原理 1)
2009-09-16 09:38
一般说明PW2202是硅N沟增强型vdmosfet，采用自对准平面技术，降低了传导损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于系统的各种功率开关电路中特征 VDS=200V，ID=2A RDS（开）
2020-12-11 16:37
N加P沟道增强型MOSFET管 N加P沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:43
20V N沟道增强型MOSFET管 20V N沟道增强型MOSFET管
2010-04-08 17:39
30V N沟道增强型MOSFET管 30V N沟道增强型MOSFET管
2010-04-08 17:41
20V N-沟道增强型MOSFET 20V N-沟道增强型MOSFET
2010-04-08 17:33
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]该TDM31066采用先进的沟槽技术[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS（ON）和低门电荷。[td=331
2018-11-16 13:42
采用N沟MOSFET的源极接地型开关电路图
2009-08-15 16:31
N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电子技术中的关键元件，具有一系列独特的优点和一定的局
2024-09-23 17:06
