场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和
2009-04-25 15:38
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-05 11:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-06 16:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-06 16:30
Q1为N沟道增强型场效应管 该电路实际动作：当接通220V交流电，开关S为断开时，Q1导通，灯亮；当开关S闭合时，Q1截止，灯灭。问题：即然Q1为
2010-11-16 12:28
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN
2012-07-04 17:48
电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。 2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型
2024-01-30 11:38
n沟道增强型绝缘栅场效应管 n沟道增强型绝缘栅场效应管，又称nMOSFE
2023-09-02 10:05
P沟道增强型场效应管，简称P-MOSFET（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
2024-09-23 17:08
击穿现象、安全工作范围宽等优点。本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管，其基本结构如下图所示：如上图所示，在一块P型硅片（半导体）衬底（Substrate，也有称为
2023-02-10 15:58
