N型半导体也称为电子型半导体。N
2016-10-14 15:11
之间移动的电子称为带隙能量。绝缘体、导体和半导体的导电性能可以从它们带隙的不同来理解。图 1 和图 2 说明了掺杂剂如何影响半导
2021-07-01 09:38
半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（
2021-07-23 08:11
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成
2012-07-11 20:23
挣脱束缚，会导致载流子浓度上升，从而打破这个平衡，温度一定后会再次建立平衡。杂质半导体通过扩散工艺，在本征半导体掺入某些元素。一 .N型
2020-06-27 08:54
摘要：半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之问，或者
2021-01-12 10:20
导体器件有很大影响。3.杂质半导体掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是
2017-07-28 10:17
导体器件有很大影响。3.杂质半导体掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是
2018-02-11 09:49
”对越多;在室温下,“电子—空穴”对少,故电阻率大。2. 掺杂半导体及其特点 (1) N 型半导体:在本征硅或锗中掺入适量五价元素形成
2021-05-24 08:05
半导体材料受光照射时，会产生光电效应。 下图是本征半导体能带简图。光入射到本征半导体材料后，处干满带中被束缚的电子吸收光子的能量，可由满带跃过禁带进入导带成为自由电子(如黑点所示），而在原来的满带中
2018-01-09 11:43
