NP4836高VGS耐压，双N沟道，独立双NMOS，采用SOP8封装，TDM3478，FP6606C，FP6606AC，FP6601Q，FP6601AA一级代理商，源头货源，可靠，优势，可未税/含税，支持小批量量产，技术支持。
2022-05-07 16:23 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
为什么可以认为Vgs电压是不变的？ Vgs电压，也就是场效应管（FET）的栅源电压，在某些情况下可以被认为是恒定的。这是因为在FET工作的过程中，栅电极和源极之间没有导电材料。这意味着，当FET被
2023-09-20 17:05
在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，Vgs（栅极-源极电压）和Vds（漏极-源极电压）之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs（栅极-源极电压） ：这是施加
2024-09-29 09:53
在上一篇文章中我们聊了“Rdson对应MOS管的哪个工作区？”这个问题，并得出Rdson对应的是可变电阻区的结论。在讨论的过程中，提到了Vgs对MOS管导电沟道宽度的控制作用，这里又萌生另外一个问题。
2023-01-05 11:11
，被广泛应用于各种电子设备中。在放大管的设计过程中，通常需要给出一些重要的参数，其中就包括Vgs-Vth。Vgs和Vth分别表示放大管的栅极-源极电压和沟道阈值电压。而为什么放大管的
2023-09-21 15:55
如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
2023-12-05 16:46
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2023-02-09 10:19
p沟道和n沟道的区别 n沟道和p沟道怎样区分？ 区分p沟道和n沟道的关键
2023-11-23 09:13
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为N沟道和P沟道两种类型。本文将对N
2023-12-28 15:47
PMOS（P型金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。它具有许多优点，如低功耗、高输入阻抗、易于集成等。本文我们将讨论PMOS晶体管的饱和条件，以及VGS（栅源电压
2024-07-31 14:58
