在上一篇文章中我们聊了“Rdson对应MOS管的哪个工作区？”这个问题，并得出Rdson对应的是可变电阻区的结论。在讨论的过程中，提到了Vgs对MOS管导电沟道宽度的控制作用，这里又萌生另外一个问题。
2023-01-05 11:11
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺
2018-03-09 14:28
其中，沟道电阻Rch可以由下式描述。式中，L是沟道长度，W是沟道宽度，μn是电子迁移率，Cox是栅极氧化层电容，VGS(on)是导通状态栅极电压，
2023-10-13 16:22
沟道通孔（Channel Hole）指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面，穿过多层存储单元的细长孔洞。
2024-03-20 10:19
什么是沟道效应？ 沟道效应是指在晶体材料中，注入的离子沿着晶体原子排列较为稀疏的方向穿透得比预期更深的现象。
2024-02-21 10:19
导电沟道刚刚形成的时候那个正偏电压Vgs，称为开启电压Vgs（th）（或称为“阈值电压”）；Vgs大于Vgs（th）的这
2018-05-08 16:01
通道的导通电阻（rDS（on））是由通道的横向和纵向电场控制的。通道电阻主要由栅源电压差决定的。当VGS超过门限电压（VGS（th）），FET开始导通。许多操作要求开关接地点。功率MOSFET通道
2018-07-15 08:18
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56
沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。
2025-05-19 14:28
敞开电压（阀值电压）。当外加栅极操控电压VGS超越VGS（th）时，漏区和源区的外表反型层形成了衔接的沟道。应用中，常将漏极短接前提下ID即是毫安时的栅极电压称为敞开电压。此参数通常会随结温度的上升而有所下降。
2019-06-24 14:11
