可将N沟道JFET看作带“人工智能开关”的水龙头。这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是JFET的 d极 、g 极、s极。“人工”体现了开关的“控制”作用即vGS。JFET工作时，在
2012-08-13 12:51
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
800V，且 RDS(on) 在 10V VGS 时仅 0.15Ω ，在 4.5V 时仅 0.20Ω。威世硅尼克斯的 SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 也不含卤素（按照 IEC
2019-07-09 17:30
沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型。图1 4种MOS管符号图2 四种MOS结构示意图工作原理N沟道增强型当Vgs
2020-05-17 21:00
概述：FDW2501N采用TSSOP-8封装，N沟20V6ARDS(ON)=0.018Ω@VGS=4.5VRDS(ON)=0.028Ω@VGS=2.5V1W 主要用于负载开关、电机驱动、DC-DC变换及电源管理。
2021-04-14 07:41
(SG40N05D)：N沟道，封装TO-252，ID , 66AVDSS , 40V RDS(ON), 5mΩ (max.) @ VGS=10V RDS(ON), 6.3mΩ (max.
2018-01-22 13:56
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，如下图所示，其最大漏源电流Idsm为7A，最大漏源电压Vds为30V，该元件在TCL液晶电
2021-04-06 06:53
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 采用带散热片的 SOP8 封装`
2011-05-17 10:57
N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图和电路符号如下图所示，用一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，在其表面上覆盖一层二氧化硅（SiO2）的绝缘层，再在二氧化硅层上刻出两个窗口，通过扩散形成两个高
2015-06-12 09:24
