，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加的栅极电压越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中
2021-04-09 09:20
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加
2018-03-03 13:58
可将N沟道JFET看作带“人工智能开关”的水龙头。这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是JFET的 d极 、g 极、s极。“人工”体现了开关的“控制”作用即vGS。JFET工作时，在
2012-08-13 12:51
上面一个图VGS是+5v，但是没有通导，Q1（D）还是5V下面一个图VGS是-5V，应该断开吧，但是却没断开。。请问是什么原因呢，我实际电路测试出来也和这个基本一样。。无法开启或者关断用BSS84
2013-08-20 12:02
的生产成本也更低，因此价格更低，性能高于 p 沟道 MOSFET。在P沟道MOSFET中，源极连接到正电压，当栅极上的电压低于某个阈值（Vgs 0）时，FET导通。这意味着，如果您想使用 P
2023-02-02 16:26
图1为二个P沟道的功率MOSFET组成的充电电路，P沟道的功率MOSFET的型号为：AO4459。Q3和R1实现恒流或限流充电功能，Q4控制电路的工作。图1：P沟道MOSFET组成充电电路电路工作
2017-04-06 14:57
类型，即P沟道耗尽模式和P沟道耗尽模式，下面分别介绍下二者的结构及其工作原理。1、N沟道耗尽型MOSFETN沟道耗尽型M
2022-09-13 08:00
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
;gt;N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS>0但是比较小时
2010-08-17 09:21
沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型。图1 4种MOS管符号图2 四种MOS结构示意图工作原理N沟道增强型当Vgs
2020-05-17 21:00
