NP4836高VGS耐压，双N沟道，独立双NMOS，采用SOP8封装，TDM3478，FP6606C，FP6606AC，FP6601Q，FP6601AA一级代理商，源头货源，可靠，优势，可未税/含税，支持小批量量产，技术支持。
2022-05-07 16:23 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
为什么可以认为Vgs电压是不变的？ Vgs电压，也就是场效应管（FET）的栅源电压，在某些情况下可以被认为是恒定的。这是因为在FET工作的过程中，栅电极和源极之间没有导电材料。这意味着，当FET被
2023-09-20 17:05
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加的栅极电压越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中
2021-04-09 09:20
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加
2018-03-03 13:58
在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，Vgs（栅极-源极电压）和Vds（漏极-源极电压）之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs（栅极-源极电压） ：这是施加
2024-09-29 09:53
在上一篇文章中我们聊了“Rdson对应MOS管的哪个工作区？”这个问题，并得出Rdson对应的是可变电阻区的结论。在讨论的过程中，提到了Vgs对MOS管导电沟道宽度的控制作用，这里又萌生另外一个问题。
2023-01-05 11:11
：TO-252Ciss：920pF内阻：（vgs=10v）9.1mΩ 低压MOS管HC009N03L产品特性（vgs=10v）9.1mΩN沟道场效应管快速切换低结电容445pF低开启电压1.5V低结电容温升低转换
2020-11-16 13:51
`TDM3544 N沟道MOS管[/td]描述一般特征该TDM3544采用先进的沟槽技术◆RDS（ON）<8.0mΩ@ VGS = 4.5V提供优异的RDS（ON）和低门电荷。◆RDS
2019-03-13 16:06
的生产成本也更低，因此价格更低，性能高于 p 沟道 MOSFET。在P沟道MOSFET中，源极连接到正电压，当栅极上的电压低于某个阈值（Vgs 0）时，FET导通。这意味着，如果您想使用 P
2023-02-02 16:26
，被广泛应用于各种电子设备中。在放大管的设计过程中，通常需要给出一些重要的参数，其中就包括Vgs-Vth。Vgs和Vth分别表示放大管的栅极-源极电压和沟道阈值电压。而为什么放大管的
2023-09-21 15:55
