（5）和（6）可知，影响MOSFET电流速率的源极引脚电感被消除了。根据等式（2）和（5），较之TO247封装MOSFET
2018-10-08 15:19
`物联网应用兴起，细分领域的大部分芯片不需要用到先进晶圆制程，模块化封装变成一个趋势；如BLE，WIFI，RF，PMIC等功能芯片组合成一个模组（SIP），实现模块的多种功能集成。 同时5G网络
2020-04-02 16:21
的封装内采用更高性能的MOSFET，业内的一个趋势是从SO-8等标准引线封装向带有底面漏极焊盘的功率封装转变。对于大电流应用，常用的是功率6mmx
2013-12-23 11:55
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSF
2012-12-06 14:32
mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗？为什么？
2015-10-25 20:56
。PCB作为基站建设中不可缺少的电子材料，庞大的基站量必将催生巨大的电路板增量，成为引爆封装材料市场的新动力，新需求。相关资料显示，从去年下半年到今年上半年开始，一些通讯类行业客户，比如5G天线、5G基站
2019-09-12 11:30
用于它们的负载点（POL）设计。当适应控制器和外部MOSFET时，这些应用极大地限制了主板空间。MOSFET和封装技术的进步使得TI能够成功应对这些挑战。诸如TI 2.x NexFET™功率
2019-07-31 04:45
产品尺寸，从而提升系统效率。而在实际应用中，我们发现：带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件，它可以进一步降低器件的开关损耗，也更有利于分立器件的驱动
2023-02-27 16:14
系列。3．选择无引线的封装MOSFET，降低由封装所产生的寄生电阻和电感。4．选择合适的门极驱动电阻从而抑制MOSFET的门极驱动震荡。图
2018-12-10 10:04
管）MOSFET P（P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。 5.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2， 引脚封装形式为D系列，如D-44，D-3
2014-05-21 11:38
