漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍MOSF
2024-01-31 13:39
的传递函数导出示例 其1升降压转换器的传递函数导出示例 其2开关的导通电阻对传递函数的影响总结总结关键词开关损耗 传递函数 电源设计 SiC-SBD 快速恢复二极管 SJ-MOSFET IGBT 状态空间
2018-11-27 16:40
如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。从
2023-02-24 11:47
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极
2022-12-06 09:14
MOSFET为什么有“体二极管”
2023-12-14 11:26
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极
2018-01-22 07:21
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏
2023-02-08 13:43
