MOSFET：AON6260，数据表中，阈值电压VTH定义为最小的栅极偏置电压，最小值1.5V，典型值2V，最大值2.5V，测试电路如图1所示。可以看到，测试的条件为I
2016-11-08 17:14
需要采购MOSFET 测试设备， 满足手工测试MOSFET的电参数（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/V
2021-05-06 09:57
在理解功率MOSFET的VTH的特性之前，先看一个在实际客户产品应用中遇到的问题，了解这个不起眼的、却有些独特的VTH对系统设计的影响。例：国内某通讯公司，做了一批基站系统，出口到俄罗斯，7、8份
2016-11-14 14:09
在理解功率MOSFET的VTH的特性之前，先看一个在实际客户产品应用中遇到的问题，了解这个不起眼的、却有些独特的VTH对系统设计的影响。例：国内某通讯公司，做了一批基站系统，出口到俄罗斯，7、8份
2019-08-08 21:40
MOSFET输入电容，Rg为MOSFET的栅极电阻。 VGS电压从0增加到开启阈值电压VTH前，漏极没有电流流过，时间t1为： VGS电压从VTH增加到米勒平台电
2025-02-26 14:41
是VGS电压从VTH增加到米勒平台电压VGS(pl)的区间，从这个过程可以非常直观的发现：MOSFET工作在恒流区，因为VGS的电压在变化，这个过程是一个动态恒流的过程，也就是VGS电压和ID电流自动找平
2016-11-29 14:36
通常工程师在选用MOSFET时,会对其做哪些测试来判断它的性能,具体如何测试的,如温升,老化;求详细的解释~
2013-12-17 23:20
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充电，而漏极电流开始流经
2022-11-16 08:00
图中为什么当Vin=Vth+Vout时，gm达到最大？谢谢！！！
2021-06-24 06:17
，在t1时刻，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电；［t1-t2］区间，MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影响不大
2021-09-05 07:00
