MOSFET：AON6260，数据表中，阈值电压VTH定义为最小的栅极偏置电压，最小值1.5V，典型值2V，最大值2.5V，测试电路如图1所示。可以看到，测试的条件为I
2016-11-08 17:14
需要采购MOSFET 测试设备， 满足手工测试MOSFET的电参数（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/V
2021-05-06 09:57
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子器件中的半导体器件，其工作原理是通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。在MOSFET中，Vth（阈值电压）是一个非常重要的参数
2024-07-31 14:59
在理解功率MOSFET的VTH的特性之前，先看一个在实际客户产品应用中遇到的问题，了解这个不起眼的、却有些独特的VTH对系统设计的影响。例：国内某通讯公司，做了一批基站系统，出口到俄罗斯，7、8份
2016-11-14 14:09
在理解功率MOSFET的VTH的特性之前，先看一个在实际客户产品应用中遇到的问题，了解这个不起眼的、却有些独特的VTH对系统设计的影响。例：国内某通讯公司，做了一批基站系统，出口到俄罗斯，7、8份
2019-08-08 21:40
通常工程师在选用MOSFET时,会对其做哪些测试来判断它的性能,具体如何测试的,如温升,老化;求详细的解释~
2013-12-17 23:20
在MOSFET栅极和源极之间的电压。它决定了MOSFET的导通与截止状态。对于NMOS而言，当Vgs大于阈值电压Vth时，MOSFET导通；而对于PMOS，情况则相反，
2024-09-29 09:53
本文利用高电源抑制比电路设计的和式偏置电流源进一步提高了电源抑制比，并利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VTHN和VTHP具有相同方向但不同数量的温度系数，设计了一种基于不同VTH值的
2011-08-18 11:29
图中为什么当Vin=Vth+Vout时，gm达到最大？谢谢！！！
2021-06-24 06:17
开通过程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通； -- [t0-t1]区间，MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升，在t1 时
2012-03-14 14:22
