各位大虾好，请问谁知道肖特基的EAS测试标准怎么定？网上查了好多都是关于MOS的测试标准。
2016-05-17 08:52
面↓2、EAS及EAR是啥子在MOS器件关断过程中，如果电压过冲值（通常由漏电流和杂散电感造成）未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，但是——当电感上产生的电压超过MOSFET的击穿电压后，将导致雪崩
2019-08-29 10:02
需要采购MOSFET 测试设备， 满足手工测试MOSFET的电参数（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID电流最大100A，VDS电压高
2021-05-06 09:57
摘 要：本文简要叙述了传统EAS系统的工作原理以及UHF RFID电子标签的EAS功能在零售和图书领域的使用方法。 一、传统EAS系统的概述 随着人们生活水平的不断提高和生活方式向休闲、舒适化方向
2019-05-29 07:22
通常工程师在选用MOSFET时,会对其做哪些测试来判断它的性能,具体如何测试的,如温升,老化;求详细的解释~
2013-12-17 23:20
不同，对测量结果的影响非常大。IAR和EAR的测试电路和单脉冲雪崩电流以及单脉冲雪崩能量一样，中、低功率MOSFET使用去耦测量电路，高压功率MOSFET使用非去耦测量电路，只是在
2017-09-22 11:44
EAS58KHz 的解码板原理图哪位有，或者指点下
2014-08-15 17:48
具有决定性的影响。因此，深入理解栅极氧化层的特性，并掌握其可靠性测试方法，对于推动碳化硅 MOSFET的应用和发展具有重要意义。今天的“SiC科普小课堂”将聚焦于“栅极氧化层”这一新话题：“什么是栅极
2025-01-04 12:37
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS
2015-11-19 15:46
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS
2018-09-05 15:37
