二极管1.1二极管材料开启电压导通电压反向饱和电流硅0.50.6-0.8
2021-11-12 08:46
MOSFET工作也可以工作在饱和区，即放大区恒流状态，此时，电流受到沟道内电子数量的限制，改变漏极电压不能增加流通电流。功率MO
2016-08-15 14:31
目录一、变压器感应电势公式中“4.44”的由来 胡慈丹二、电感磁饱和的原因与理论分析1、关于BH2、电感磁饱和的原因3、电感量的大小与饱和的理论分析（开关电源的设计之四、电感之2、电感量的计算）4
2021-07-07 07:20
VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道的饱和程度不同，因此不同的VGS
2016-12-21 11:39
信号在很宽的范围内波动，批量生产时，也会产生在全载时不能正常工作或过载时无法提供可靠的限流保护问题。同样，在选取电感时，在电感值和饱和电流值所限定的范围内，更难找到与设计的限流点所要求取样电阻相匹配
2016-09-29 13:36
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
` 一、滤波电感饱和后会怎么样？会有哪些反应变化呢！深圳岑科电感厂商今天给大家讲解以下几点！一、什么是滤波电感？ 滤波电感是开关电源中常用的元件，由于它的电流、电压相位不同，所以理论上损耗为零
2019-06-28 17:32
典型应用降压配置中的模拟调光，当VIN2超过150V时，用于RT8485高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8485是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-21 08:35
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是
2011-08-17 14:18
转换电路： 其中，Rs为感应电阻阻抗加电感绕线电阻的阻。Vf 是肖特基二极管的正向压降。R是Rs加MOSFET导通电阻，R=Rs+Rm。 电感磁芯的饱和度 ▼ 通过已经计算的电感峰值电流，我们可以发现
2020-06-16 08:23
