它们对饱和区的定义有一些差别。 首先，让我们从基本原理开始理解饱和区。在晶体管中，饱和区是电流最大的区域，通常被用来实现开关操作。晶体管在饱和区工作时，处于最低的电压状
2024-02-18 14:35
在电子学中，饱和管压降（saturation voltage drop）和导通电压（turn-on voltage）是两个重要的概念，它们描述了半导体器件，特别是晶体管和二极管在特定工作状态下的电压
2024-09-19 14:47
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而
2023-05-30 14:53
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22
三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于
2023-06-05 14:26
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。MOSFET的导通电压，也称为阈值电压（Vth），是MOSFET从截止状态到
2024-08-01 09:19
导通电阻（RDSON）指的是在规定的测试条件下，使MOSFET处于完全导通状态时（工作在线性区），漏极（D）与源极（S）之间的直流电阻，反映了MOSFET在
2025-05-26 15:09
什么是IGBT的退饱和？为什么IGBT会发生退饱和现象？ IGBT是一种高性能功率半导体器件，结合了MOSFET和BJT的优点。它在高电压和高电流应用中具有低开启电阻、低导
2024-02-19 14:33
MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12
