VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确定。为什么这个区被定义为可变电阻区呢？功率MOSFET数据表中定义的导通电阻都有一定的条件，特别是VGS，当VGS不同时，沟道
2016-12-21 11:39
电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制...
2021-11-15 07:08
MP1007ES芯片引脚功能和工作条件是什么
2021-05-06 12:34
、功率MOSFET实际工作条件在实际的工作中，功率MOSFET的TC的温度，也就是器件下面铜皮的温度，绝对不可能为25℃，通常远远高于25℃，有些应用达到100-120
2016-10-31 13:39
TEC温度控制器的详细原理图包括A1热敏电阻桥式放大器，LTC1923开关模式控制器和电源输出H桥。 DAC建立温度设定点。增益调节和补偿电容器优化环路增益带宽。各种LTC1923输出允许监控TEC工作条件
2019-10-18 07:50
阻小于稳态热阻，可以满足电流范围更大。这也表明，数据表中功率MOSFET的脉冲漏极电流额定值IDM对应着器件允许的最大的VGS，在此条件下器件工作在饱和
2016-08-15 14:31
如图1所示，可以用5个完全不同的限制条件来绘制整个SOA，每个限制条件规定了整个曲线的形状，TI的100V D2PAK CSD1…
2022-11-18 06:16
实际工作环境中，在动态的极端条件下，瞬态的电压峰值不要超过MOSFET的额定值。有些客户的要求，最大的峰值漏源极的电压最多不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。有时候一些用户会采用更低的、80
2016-09-06 15:41
。大多数情况下，电感工作在"线性区",此时电感值为一常数，不随着端电压与电流而变化。但是，开关电源存在一个不可忽视的问题，即电感的绕线将导致两个分布参数(或寄生参数
2019-06-28 17:32
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58
