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型号：<b class='flag-s-7'>MOSFET</b>、IGBT、DIODE、BJT 品牌：广电计量

产品范围：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块测试项目：静态参数符号Drain to Source Bre

2022-05-25 14:26 广电计量 企业号

型号：全系列 品牌：

雪崩光电二极管通过施加反向电压产生内部增益，具有比PIN光电二极管更高的信噪比（SNR），更快的时间响应，更高的灵敏度以及更低的暗电流。光谱响应范围通常在200-1150nm之间。我司生产的高增益高速响应的硅雪崩光电二极管，性能优越，广泛应用于微光探测、光学测距等

2022-07-22 16:35 恩弼科技 企业号

型号：BL6N120-A 品牌：上海贝岭

描述BL6N120，硅N沟道增强MOSFET，由先进的MOSFET获得降低传导损耗的技术，提高开关性能并增强雪崩能量。晶体管适合用于开关电源、高速开关和通用应用程序。特点♦ 快速切换♦ 低Crss

2023-05-16 16:28 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

型号：FMMT411Q 品牌：

FMMT411Q  产品简介DIODES 的FMMT411Q这是一款硅平面双极晶体管，专为在雪崩模式下工作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合，可产生具有快速边沿的高电流脉冲。产品规格

2023-10-18 12:38 立年电子科技 企业号

型号：FMMT411FDBWQ 品牌：

FMMT411FDBWQ   产品简介DIODES 的FMMT411FDBWQ这是一款硅平面双极晶体管，专为在雪崩模式下工作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合，可产生具有

2023-10-18 12:24 立年电子科技 企业号

型号：STW9N150 品牌：

 STW9N150，N通道1500 V-1.8Ω-8 A-TO-247  超高压PowerMESH™ 功率MOSFET   特征■ 100%雪崩测试

2023-02-07 14:27 深圳市金和信科技有限公司 企业号

型号：AGM15T13F 品牌：

阻 RDS(ON)，将传导损耗降至最低低栅极电荷，实现快速开关低热阻100% 经过雪崩测试100% 经过动态雪崩电压应力（DVDS）测试应用内存 / 显卡核心电压

2025-02-28 13:43 深圳市点面线科技有限公司 企业号

型号：EL-220 品牌：应变<b class='flag-s-7'>测试</b>仪

一.印刷电路板应变测试应变测试在应变及应变速率上，提供一个客观分析，能运用在SMT封装的PWB组装、测试和操作 上。Elogger™应变量测系统是特别针对印刷电路板应变测试

2021-10-26 17:02 麦思科技有限公司 企业号