感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容
2018-07-18 10:09
MOSFET门 源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1门源
2021-12-30 07:40
、输入阻抗高；3、工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；4、有较优良的线性区，并且 MOSFET 的输入电容比双极型的
2016-05-23 11:40
一. 电容输入 touchRead(pin) 及电容输入中断touchAttachInterrupt(pin, TSR , threshold)ESP32专门提供了
2022-01-10 08:10
`开关电容电路及MOSFET_C连续时间电路——原理与应用 166页 1.9M`
2012-08-20 16:30
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充
2022-11-16 08:00
像蜡烛一样，功率MOSFET（功率场效应晶体管）是切换负载最常见的方式，其四周围绕着众多分立电阻器与电容器（以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管（BJT）/第二个场效应晶体管）围绕的功率
2022-11-17 08:05
线性区产生的开关损耗通常可以忽略不计，因此在低压功率MOSFET的数据表中，通常不会列出Eoss。常用的ACDC变换器如Flyback结构的电源系统，输入的电压范围为100-380VDC，甚至更高的输入
2017-03-28 11:17
，二边的P区中间夹着一个N区，由于二个P区在外面通过S极连在一起，因此，这个结构形成了标准的JFET结构。 4 隔离栅SGT场效应晶体管 功率MOSFET的导通电阻Rds(on)和寄生的电容是一个相互
2016-10-10 10:58
）开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。（3）关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。（4）驱动电路
2017-01-09 18:00
