MOSFET的输出电容和输入电容是什么？
2017-07-21 11:24
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cg
2022-04-19 10:28
时，当VGS电压增加大于阈值电压后，MOSFET输入电容会随着VGS增加而增加。图4：输入电容随VGS变化因为
2016-12-23 14:34
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET
2019-09-12 09:05
MOSFET输入电容，Rg为MOSFET的栅极电阻。 VGS电压从0增加到开启阈值电压VTH前，漏极没有电流流过，时间t1为： VGS电压从VTH增加到米勒平台电
2025-02-26 14:41
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当C
2021-01-27 15:15
、输入阻抗高；3、工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；4、有较优良的线性区，并且 MOSFET 的输入电容比双极型的
2016-05-23 11:40
对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入
2022-10-28 10:18
），L_parasitic ≈ 5nH，Z_L ≈ 3.14Ω，LC回路与MOSFET输入电容Ciss ≈ 1nF谐振频率f_res≈71MHz，搞不好就“共振大party”了。贴近布局，等于给电路上了一道
2025-03-24 15:19
有的文献说mosfet并联缓冲电容，可以提升效率？？ 是否有这一说法
2017-02-22 18:19
