主要内容：利用运放环路稳定性判据对MOSFET线性电源进行频域与时域工作特性分析
2023-11-07 15:38
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例
2018-09-23 11:17
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和区。图示了NMOS和PMOS的物理结构，以及针对不同驱动电压的电流-电压曲线。还讨论了饱和区的细节，展示了NMO
2023-11-15 09:30
本应用笔记介绍了如何使用线性稳压器提供恒定电流。给出了两个电路，一个用于高端，另一个用于低侧电流源。设计中采用MAX1818和MAX1735 LDO。
2023-01-13 08:37
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二极管，如图1所示。那么这个二极管是用来做什么的？
2023-11-14 16:04
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-
2022-07-06 12:30
无源器件分为线性器件与非线性器件。
2024-01-11 10:00
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有
2024-02-23 09:38
MOSFET的操作可以分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流通过通道，但通道电阻相对较高。通道上的电压和通过通道的电流都很大，导
2024-06-13 11:38 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源
2018-03-30 16:21
