MOSFET，呈线性增加。对降压拓扑结构来讲，该电流是负载电流，而漏源电压（VDS）是输入电压（VIN）。因此，在第二个时段（t2），功率损耗可通过等式1表示：MOSFET
2022-11-16 08:00
转载文章来自：MOSFET理解与应用：Lec 12—一篇文章搞定共源级放大电路https://baijiahao.baidu.com/s?id=1616701539915827630&wfr
2021-12-29 06:44
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚
2011-08-17 14:18
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58
MOSFET的耐压、电流特性和热阻特性，来理解功率MOSFET的安全工作区SOA曲线。它定义了最大的漏源极电压值、漏极电流值，以保证器件在正向偏置时安全的工作，如下图，SOA曲线左上方的边界斜线，受漏
2016-10-31 13:39
线性电源设计方法3.1线性电源基本原理3.1.1线性稳压器3.1.2线性恒流源1.简易恒流源2.运放恒流源3.稳压二极管恒流源4.电压基准芯片5.JFET电流
2021-11-11 08:02
MOSFET内部的栅极电阻，RG=RUp+RG1+RG2为G极串联的总驱动电阻。图1：功率MOSFET驱动等效电路实际的应用中功率MOSFET所接的负载大多为感性负载，感性负载等效为电流
2017-02-24 15:05
第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路保护的角度而言，确实有一定
2016-12-21 11:39
TINA-TI 系列文章的本期内容主要针对第 1 部分读者所提出的需求。本文我们将了解如何生成：时变（分段线性）源频 变源时变源：在实践过程中，标准波形（即方波与三角波
2022-11-21 07:26
重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。（2
2017-01-09 18:00
