计算MOSFET非线性电容
2021-01-08 06:54
各位大神，可否用IR2113 驱动共源集MOSfet ,且mosfet关断时，源集漏集电压最高为700V。
2017-08-16 16:03
我在使用分段线性电压源时，导入70个点的数据可以仿真，导入80个点的数据就会报错，导入250个点的数据后，一仿真软件就会直接退出，有人遇到过吗？
2017-03-31 19:50
MOSFET在通态时的特性，会出现与结型场效应晶体管一样的线性、过渡、饱和等区域。即MOS栅结构形成的沟道不但受栅极电压的影响，还受到漏-源之间电压的影响，由于沟道采用掺杂浓度不高的材料，其电阻率较高
2024-06-13 10:07
您好，我在设计基于MOSFET的VI电流源时参考了文献sboa327中的示例，但是在进行稳定性分析时得不到文献中的结果，TI Precision labs也看了，没有带MOSFET的例子。能否帮我
2024-07-31 06:41
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
MOSFET，呈线性增加。对降压拓扑结构来讲，该电流是负载电流，而漏源电压（VDS）是输入电压（VIN）。因此，在第二个时段（t2），功率损耗可通过等式1表示：MOSFET
2022-11-16 08:00
供电，其中输入电压V在直接来自总线电压。这可能会有很大的电压变化，包括由于应用环境而导致的高压尖峰。耗尽型MOSFET可用于在线性稳压器电路中实现浪涌保护，如图5所示。MOSFET 以
2023-02-21 15:46
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有
2017-04-06 14:57
转换器拓扑图，其中Cgs、Cgd和 Cds分别为开关管MOSFET的栅源极、栅漏极和漏源极的杂散电容，Lp、Lkp、Lks和Cp分别为变压器的初级电感、初级电感的漏感、次级电感的漏感和原边线圈的杂散
2018-10-10 20:44
