硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟
2023-02-03 14:54
功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电力电子领域中的核心器件，其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将对功率MOSFET的开通和
2024-10-10 09:54
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现
2017-12-07 09:41
金属氧化物半导体结构组成。MOSFET是一种主要用于控制电流的无源器件，它具有高频特性和高电阻特性。MOSFET可用于各种应用，包括电源管理、模拟电路和数字电路中的开关和放大器。
2023-08-04 15:24
Q关断，集电极电压开始上升到2Vdc，电容C限制集电极电压的上升速度，并减小上升电压和下降电流的重叠，减低开关管Q的损耗。
2023-05-30 09:18
可以使用“ 生成关断延时”(Generate off-delay) 指令将延时所指定的时间 PT 复位输出 Q。
2023-07-19 10:05
基于晶闸管关断时间控制的高效中频电源 摘要：针对常规晶闸管并联谐振中频电源存在的在熔炼期内输出功率达不到额定功率的问题
2009-07-11 10:32
