前面讨论过，单纯的考虑IDM电流没有意义，而是考虑最大漏极电流的持续时间。IDM和实际的应用最相关的状态就是系统发生短路，例如在电机控制应用 中，在一些恶劣条件下，由于机械的摩擦或碰触，绕组油漆局部
2016-08-24 16:02
。是从电压角度理解的，若从电流理解，是同相的。mos管，当Vds过大时，漏极区下面的通道截止，怎么还会有电流当vgs一定，vds持续增大，近漏极端的沟道深度进一步减小，当vds=vgs-vgs（th
2012-07-09 17:45
MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小,效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。 三极管的开漏
2011-11-18 22:05
率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流IDM、雪崩电流
2016-08-15 14:31
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏极-源
2021-11-12 08:12
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的
2016-10-10 10:58
。*3） 导通电阻使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，则运行时的损耗（电力损耗）越少。`
2021-07-14 15:17
MOSFET门 源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1门源
2021-12-30 07:40
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
2011-08-17 14:18
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充电，而漏
2022-11-16 08:00
