康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在
2019-04-08 03:57
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V的电压，漏源极不能导通。是不是要大于
2019-06-21 13:30
电压，VIN为输入电压，VOUT为输出电压。输入与输出电压可以转换为MOSFET的漏源电压和栅源电压，如下式：VDS=VIN-VOUT，且VGS=VGATE-VOUT其
2021-04-08 11:37
MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？
2021-02-02 07:46
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提
2019-08-09 07:03
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19
，FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接，而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重后果。这需要通过一个控制器来调节输入电压（VIN）和输出电压（VOUT）之间MOSFET上的栅源偏压，使
2019-08-06 06:28
本文将介绍使用源-测量单元测量二极管的泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流（sub-thresh old current）。
2021-04-14 06:56
什么是MOSFET管？由哪几部分组成？MOSFET的主要参数是什么？如何选型？
2022-02-23 06:57
