MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极
2018-01-22 12:15
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关M
2018-09-23 11:17
与双极型晶体管（三极管）的射极跟随器相比，源极跟随器的输出阻抗非常低，特别适合于电动机、扬声器等重负载（阻抗低的负载）的
2019-12-30 09:20
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二极管，如图1所示。那么这个二
2023-11-14 16:04
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、漏
2024-09-18 09:58
共源共栅放大器是一种特殊的放大器结构，它结合了共源放大器和共栅放大器的特点。在共源共
2024-02-19 16:15
折叠共源共栅放大器（Folded Cascode Amplifier）是一种在模拟集成电路设计中常用的放大器结构，它结合了共源（Common Source）和共栅（Co
2024-09-27 09:50
偏 HTGB试验；其次，针对高压SiC MOSFET 的特点进行了漏源反偏时栅氧电热应力的研究。试验结果表明，在高压 SiC MOSFET 中，漏
2024-01-04 09:41
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247
2022-07-06 12:30
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。
2024-02-23 09:38
