的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与
2017-06-01 15:59
MOSFET门 源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1门
2021-12-30 07:40
`今天修了个动力源4850B，两个桥被击穿了，更换3510`
2012-02-12 22:12
可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，从而起到了保护场效应管的作用。<p&
2018-11-05 14:26
MOSFET的漏极和源极到LM9061。感应输入管脚1监控信号源当阈值输入针脚2连接到排水管，也连接到恒定负载功率供应。这两个输入都是
2020-07-14 14:53
重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极
2017-01-09 18:00
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18
分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22
基于Howland电流源的双极电流源
2019-07-26 06:15
N型的，所以当源漏之间有电压时就可以导电。当栅上加负电压时，栅下的衬底感应出正电荷，这个区域仍为P型半导体，而NMOS的漏极和源
2012-07-05 11:30
