MOSFET的栅源振荡究竟是怎么来的呢？栅源振荡的危害什么？如何抑制或缓解栅
2024-03-27 15:33
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在
2019-04-08 03:57
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00
在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，
2023-02-21 17:52
台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）栅阴
2009-10-06 09:30
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247
2022-06-08 14:49
MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G，（这里不讲栅极G
2022-02-09 11:42
沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅
2023-04-27 11:55
MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极
2018-01-22 12:15
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
