MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40
功率MOSFET并联均流问题研究 对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET
2009-06-30 13:38
如今，由于对大电流和高功率应用的需求不断增加，单一的MOSFET已经无法满足整个系统的电流要求。在这种情况下，需要多个MOSFET并联工作，以提供更高的电流和功率，这有助于减少导通损耗，降低工作温度
2024-11-27 15:32
碳化硅（SiC）MOSFET并联应用均流控制技术的综述，倾佳电子杨茜综合了当前研究进展与关键技术方向。
2025-02-05 14:36
通过并联SiC MOSFET功率器件，可以获得更高输出电流，满足更大功率系统的要求。本章节主要介绍了SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项。
2025-05-23 10:52
难以满足这些应用的需求。因此，大功率IGBT和SiCMOSFET的并联设计成为了一种有效的解决方案。本文将介绍并联设计的关键要点，并推荐安森美(onsemi)的几款相应产品。
2024-08-01 15:27
碳化硅（SiC）MOSFET以其正温度系数的特性进行静态电流的共享和负反馈。如果一个设备的电流更大，那么它就会加热，相应地增加其RDS(on)。这样，过境电流降低，热失衡级别也降低。此外，他们在温度
2023-12-19 11:59 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06
为了划分所涉及的功率并创建可以承受更多功率的器件，开关、电阻器和 MOSFET 并联连接。
2023-08-29 11:47
