功率MOSFET并联均流问题研究 对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联
2009-06-30 13:38
碳化硅（SiC）MOSFET并联应用均流控制技术的综述，倾佳电子杨茜综合了当前研究进展与关键技术方向。
2025-02-05 14:36
在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章节带你探究SiC MOSFET模块并联
2025-05-30 14:33
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在
2022-08-01 09:51
SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些
2021-09-06 11:06
为了实现良好的并联设计，传统上选择 MOSFET——通过筛选——基于它们的阈值电压相似，以确保它们同时导通。然而，屏蔽 MOSFET 会增加成本和复杂性，并且仍然容易受到温度不稳定性的影响。因此，考虑到上述问题，专用
2022-08-04 08:59
通过并联SiC MOSFET功率器件，可以获得更高输出电流，满足更大功率系统的要求。本章节主要介绍了SiC MOSFET并联运行实现静态
2025-05-23 10:52
DCDC的并联均流怎么设计
2022-05-05 11:01
但是电源输出参数的扩展，仅仅通过简单的串、并联方式还不能完全保证整个扩展后的电源系统稳定可靠的工作。不论电源模块是扩压还是扩流，均存在一个“均压”、“
2017-11-09 15:02
电源并联的自动均流技术及其应用
2017-09-14 09:11
