本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合上一篇文章的内容来阅读本文。
2023-02-10 09:41
本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合上一篇
2020-12-21 14:25
我们开设了Si功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估MOSFET体二极管的反向恢复特性，并确
2023-02-10 09:41
在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，重点关注了由于逆变器电路、Totem Pole型功率因数校正（PFC）电路等是两个MOSFET串联连接的桥式电路，因此存在因上下桥臂的直通电流导致导通损耗增加的现
2023-02-13 09:30
上一篇文章中通过标准型且具有快恢复特性的SJ MOSFET的双脉冲测试，介绍了“在桥式电路中，恢复特性可通过使用高速MOSFET来降低损耗，但是在某些情况下，即使使用高
2023-02-10 09:41
本文的关键要点・在LLC转换器中，如果偏离预期的谐振条件，MOSFET体二极管的反向恢复电流会引发直通电流，这可能会造成开关损耗增加，最坏的情况下可能会导致MOSFET损坏。
2023-02-13 09:30
通过双脉冲测试评估 MOSFET 的反向恢复特性我们开设了 Si 功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估 MOSFET 的反向恢复特性”中，我们将通过
2020-12-28 06:00
现代集成电路中MOSFET的体二极管的反向恢复特性对系统安全具有重要影响，本文探讨了Diode的反向恢复特性的机理和模型原理。 半桥、全桥和 LLC 的电源系统以及电机控制系统的主功率
2025-01-03 10:36
当我们对于用实际组件来实现转换器有更加深入的了解时，这个波形变得复杂了很多。不断困扰开关转换器的一个特别明显的非理想状态就是同步降压或升压转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓
2023-04-15 09:15
-> 20mV = 4A。在图5中，针对TPS40170/硅MOSFET的高亮反向恢复电荷用红色显示（使用的是CSD185363A）。峰值恢复电流为18A左右 (90mV)，据我估算，对于24V*300KHz
2018-09-03 15:17
