什么是MOS控制型晶闸管 MCT（MOS Controlled Thyristor）是将MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。MCT将MOSFET的高输入阻抗
2010-03-05 14:46
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子设备中常用的高效能开关器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通压降特点。
2024-05-12 16:54
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗
2018-06-28 09:51
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输
2010-07-29 11:53
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻
2017-05-03 10:15
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种双极性功率半导体器件，由BJT（双极型三极管）和MOS管复合而成，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，特别
2023-02-26 11:13
有关IGBT你了解多少，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高
2013-04-16 10:04
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2017-12-14 15:25
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻
2017-05-10 16:37
本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。可以说，IGBT是一个非通即断的开关，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2014-09-02 16:38
