通时的示意图。寄生电容C2被充电，寄生电感L1～L5积蓄能量，当开关节点的电压等于VIN时，积蓄于L1～L5的能量与C2产生谐振，发生较大振铃。其次，高边MOSFET关断时，同样寄生电容C2被充电，寄生
2018-12-03 14:33
请问INA240中mosfet开关动作一次，振铃ring的时间大约是多久？
2024-08-05 06:05
IPS5451是美国国家半导体公司生产的一款高压侧功率MOSFET开关，它为单列5脚封装，工作电压50V，电流35A，Rds(on) 25m欧姆。
2021-04-23 07:32
高电流，负载点（POL）降压转换器利用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）为输出滤波器提供脉冲宽度调制（PWM）脉冲序列。降压转换器功率级元件的布局将直接影响开关节点上的振铃幅度，如果控制
2018-09-26 10:43
如何判断SW节点的振铃是否在MOSFET承受范围内？TI的许多集成MOSFET的同步降压芯片只标注了Vin的电压规格，对于集成的MOSFET的雪崩击穿能量等没有详细的参
2019-04-08 11:57
如何实现高压MOSFET控制器简化非隔离开关的设计？
2021-10-12 11:44
内置高压MOSFET的原边控制开关电源SD4851介绍
2021-04-02 06:39
Si321X和Si321XM高压振铃应用电路。标准Si321x ProSLIC产品旨在产生94.5 VPK的最大振铃信号。尖端，环形和电池上的三个检测电阻将此振铃信号电
2020-07-30 10:21
要有深入了解，才能有利于理解和分析相应的问题。 高压MOSFET原理与性能分析 在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是
2023-02-27 11:52
在 拨回旧时光 博文中提到了驱动 就是电话机振铃电路。 01高压桥电路▲ MOS高压隔离驱动桥电路
2021-09-16 07:30
