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  • GTO ,GTR IGBT, MOSFET 频率范围分别为多少

    /2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz(1000KHz

    2012-07-06 15:56

  • GTO ,GTR IGBT, MOSFET 频率范围分别为多少

    ),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为:GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外,设计电路中选择功率器件不能只考虑频率,还有如开关损耗、驱动电路的

    2012-07-04 17:14

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    2018-01-25 11:34

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    )NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成,可以是PNP或NPN型,如图2所示,其中V1为驱动管,可饱和,而V2为输出管

    2018-01-25 11:27

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    2021-03-29 16:18

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    2021-07-27 06:44

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    2021-07-29 09:46

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    2021-10-28 10:06

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    问题1:最近,我们公司的技术专家在调试中发现,MOSFET驱动电压过高,会导致电路过载时,MOSFET中电流过大,于是把降低了驱动电压到6.5V,之前我们都是在12V左

    2016-12-21 11:39