/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO
2012-10-24 08:02
）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的
2012-07-04 17:14
1、驱动电路最优化的基极驱动电流波形如图1所示。采用这种驱动波形，可加速GTR的开通过程，缩短关断时间，减小开关损耗。图1、反偏安全工作区图2、最优
2018-01-25 11:34
1、驱动电路最优化的基极驱动电流波形如图1所示。采用这种驱动波形，可加速GTR的开通过程，缩短关断时间，减小开关损耗。图1、反偏安全工作区图2、最优
2018-01-15 11:58
结合 GTR 和功率 MOSFET 而产生的功率绝缘栅控双极晶体管(IGBT)。在这些开关器件中，功率 MOSFET 由于开关速度快,驱动功率小,易并联等优点成为开关电
2025-03-27 14:48
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP或NPN型，如图2所示，其中V1为驱动管，可饱和，而V2为输出管
2018-01-25 11:27
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP或NPN型，如图2所示，其中V1为驱动管，可饱和，而V2为输出管
2018-01-15 11:59
摘要：本文阐述了MOSFET驱动的基本要求以及在各种应用中如何优化驱动电路的设计关键词： MOSFET 驱动，
2018-12-10 10:04
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53
