。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO
2012-10-24 08:02
GTR基板驱动电路性能的优劣台直接影响变换器的性能。采用性能优良的基极驱动电路．可以缩短GTR的开关时间．降低开关损耗，提高系统效率和
2010-05-05 08:47
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的
2012-07-04 17:14
实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）
2007-09-30 20:59
1、驱动电路最优化的基极驱动电流波形如图1所示。采用这种驱动波形，可加速GTR的开通过程，缩短关断时间，减小开关损耗。图1、反偏安全工作区图2、最优
2018-01-25 11:34
1、驱动电路最优化的基极驱动电流波形如图1所示。采用这种驱动波形，可加速GTR的开通过程，缩短关断时间，减小开关损耗。图1、反偏安全工作区图2、最优
2018-01-15 11:58
结合 GTR 和功率 MOSFET 而产生的功率绝缘栅控双极晶体管(IGBT)。在这些开关器件中，功率 MOSFET 由于开关速度快,驱动功率小,易并联等优点成为开关电
2025-03-27 14:48
电力晶体管(GTR),电力晶体管(GTR)是什么意思 电力晶体 电力晶体管管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体
2010-03-05 13:32
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用 下面是我对MOSFET及MOSFET
2009-12-29 10:41
