温度依赖性。下面是实测例。下一篇计划介绍ID-VGS特性。关键要点:・MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间。・
2018-11-28 14:29
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2017-01-09 18:00
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOS
2019-04-10 06:20
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特
2021-07-29 09:46
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2021-10-28 06:56
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特
2021-10-28 10:06
，功率MOSFET很少接到纯的阻性负载，大多数负载都为感性负载，如电源和电机控制；还有一部分的负载为容性负载，如负载开关。既然功率MOSFET所接的负载大多数为感性负载，那么上面基于阻性负载的
2016-12-16 16:53
开关电源MOSFET驱动电路介绍及分析(4)
2019-03-12 11:37
MOSFET 因导通内阻低、 开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET 的驱动常根据电源 IC 和
2022-01-03 06:34
极电流保持比例的关系，漏极电流恒定，因此栅极电压也保持恒定，这样栅极电压不变，栅源极间的电容不再流过电流，驱动的电流全部流过米勒电容。过了米勒平台后，MOSFET完全导通，栅极电压和漏极电流不再受转移特性的约束，就继
2025-02-26 14:41
