本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率
2010-11-11 15:34
温度依赖性。下面是实测例。下一篇计划介绍ID-VGS特性。关键要点:・MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间。・
2018-11-28 14:29
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2017-01-09 18:00
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特
2023-02-09 10:19
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2016-12-15 16:00
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2018-05-07 10:38
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOS
2019-04-10 06:20
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2021-10-28 06:56
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2021-10-21 20:06
正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOSFET 及MOSFET 驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS 管的介绍，
2021-05-10 09:55
