BTD25350双通道隔离,原方带死区时间设置,副方带米勒钳位功能,非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器,峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器, 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右,一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT,劣势是器件多,硬件设计复杂,效率低,失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号