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  • SiC设计干货分享(一):SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨

    SiC设计干货分享(一):SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨

    2023-12-05 17:10

  • SiC MOSFET驱动电压的设置探讨

    随着制备技术的进步,在需求的不断拉动下,碳化硅(SiC)器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车,可再生能源及储能等应用领域的发展,更是不容小觑。

    2022-06-13 16:54

  • SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨

    随着制备技术的进步,在需求的不断拉动下,碳化硅(SiC)器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车,可再生能源及储能等应用领域的发展,更是不容小觑。

    2022-07-27 15:28

  • SiC MOSFET驱动电压尖峰的抑制方法简析(下)

    高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一,这能让系统效率显著提升,但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡,从而在驱动电压上产生更大的尖峰。

    2023-12-20 09:20

  • SiC MOSFET驱动电压尖峰与抑制方法分析(上)

    高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一,这能显著提升系统效率,但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡,从而让驱动电压产生更大的尖峰。

    2023-12-18 09:18

  • SiC MOSFET驱动电压测试结果离谱的六大原因

    开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一,由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试,而在电路设计时直接测量在运行中的变换器上的器件波形,为了得

    2022-06-02 11:04

  • 富昌电子SiC设计分享(一):SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨

        随着制备技术的进步,碳化硅(SiC)器件与模块,在需求的不断拉动下,成本逐年降低, 相关产品的研发与应用得到了极大的加速。其中,新能源汽车,可再生能源,储能等应用领域的发展实力尤其不容小觑。 富昌电子(Future Electronics)一直致力于以专业的技术服务,为客户打造个性化的解决方案。在为企业缩短产品设计周期的同时,也进一步加快行业发展的步伐。在第三代半导体的实际应用领域,富昌电子结合自身的技术、项目经验积累,落笔

    2022-05-30 07:00

  • SiC碳化硅MOSFET驱动电压的限制源于栅氧可靠性与器件性能之间的权衡

    碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正负驱动电压限制的根本原因源于其栅氧化层(通常为SiO₂)的电场耐受能力和界面特性,需在栅氧可靠性与器件性能之间进行权衡。以下是具体分析: 倾佳电子

    2025-05-05 18:20

  • 如何更好地驱动SiC MOSFET器件?

    IGBT的驱动电压一般都是15V,而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致,15V、18V、20V都有厂家在用

    2024-05-13 16:10

  • 富昌电子SiC设计分享(二):碳化硅器件驱动设计之寄生导通问题探讨

    应用领域,富昌电子结合自身的技术积累和项目经验,落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考,并期待与您进一步的交流。   上一篇我们先就SiC MOSFET驱动电压做了一定的分析及探讨(SiC设

    2022-06-16 07:00