mosfet没有上电时，mosfet驱动电压很正常，mosfet上电后，mosf
2019-03-05 09:53
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10
随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅(SiC)器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用领域的发展，更是不容小觑。
2022-06-13 16:54
随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用领域的发展，更是不容小觑。
2022-07-27 15:28
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。
2023-12-18 09:18
开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试，而在电路设计时直接测量在运行中的变换器上的器件波形，为了得
2022-06-02 11:04
随着制备技术的进步，碳化硅（SiC）器件与模块，在需求的不断拉动下，成本逐年降低， 相关产品的研发与应用得到了极大的加速。其中，新能源汽车，可再生能源，储能等应用领域的发展实力尤其不容小觑。 富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案。在为企业缩短产品设计周期的同时，也进一步加快行业发展的步伐。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术、项目经验积累，落笔
2022-05-30 07:00
碳化硅（SiC）MOSFET的Vgs正负驱动电压限制的根本原因源于其栅氧化层（通常为SiO₂）的电场耐受能力和界面特性，需在栅氧可靠性与器件性能之间进行权衡。以下是具体分析： 倾佳电子
2025-05-05 18:20
这是MOSFET驱动电压，请大神指点，其中的高电平电压波动原因是什么？
2022-05-24 09:32
