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(典型值),采用SOW-18(宽体)封装, 高达5000Vrms的隔离电压,适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器, 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
MD18624高频栅极驱动器是设计用于驱动低侧n通道具有最大控制灵活性的mosfet独立的输入。每个通道可以源和汇5A峰值电流以及轨对轨输出能力。2.2nF负载下7ns/6ns上升和下降时间降低
2025-01-06 10:00 腾震粤电子 企业号
这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻,提供优越的开关性能优良,并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好
2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号
关于MOS管驱动电路设计,本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET(MOS管)是电压驱动的,不需要驱动
2022-11-08 10:31 嘉瀚芯科技 企业号
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片,可兼容代换IR2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGB
2023-03-29 09:24 深圳市骊微电子科技 企业号
的MOSFET和IGBT栅极驱动器,广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。 ir2110替代芯片ID7
2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号
1. 概述SW1608 是一款针对离线式反激变换器的副边同步整流管(MOSFET)驱动的高性能控制器。配合 MOSFET 使用替代肖特基整流二极管,可以显著提高系统效率。SW1608 具有VCC
2024-09-26 11:13 腾震粤电子 企业号
NSi6601M是单通道隔离式栅极驱动器,适用于驱动SiC,IGBT和MOSFET等功率管的多种应用场景。它具有很强的驱动能力,可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流。同
2022-10-27 12:32 德瑞泰电子 企业号
直流工作电压以下应用中的SiC MOSFET,IGBT的驱动。NSi6611/NSi6651具有强大的驱动能力,可以提供最大10A的拉灌电流能力,支持轨到轨输出和分
2022-10-27 10:35 德瑞泰电子 企业号