• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • 36V耐压OVP+OCP二合一过压过流保护芯片HT3062H

    型号:HT3062H 品牌:

    咨询请看首页产品概述:OVP+OCP保护IC常应用于电子产品电源输入端,防止输入端电压发生异常过高损坏电子产品。为此,华太半导体(HOTTEK-SEMI)推出一款性能卓越的OVP过压过流保护芯片

    2025-05-12 18:50 深圳市芯派科技有限公司 企业号

  • 半桥IGBT MOSFET驱动

    型号:TF2184-TAH 品牌:德律风根

            TF2184是一种高压、高速栅极驱动器,能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和igbt。TF半导体的高压过程使

    2023-06-25 16:25 重华电子 企业号

  • 高低边IGBT MOSFET驱动

    型号:TF21064M-TUH 品牌:德律风根

       TF21064M是一种高压、高速栅极驱动器,能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和IGBT。TF半导体的高压过程使TF21064M的高侧能够

    2023-06-29 10:14 重华电子 企业号

  • 半桥IGBT MOSFET驱动

    型号:TF21844M-TUH 品牌:德律风根

       TF21844M是一种高压、高速栅极驱动器,能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和IGBT。TF半导体的高压过程使TF21844M的高侧能够

    2023-06-26 15:00 重华电子 企业号

  • 高低边 IGBT MOSFET驱动

    型号:TF21814-TUH 品牌:德律风根

           TF21814是一种高压、高速的栅极驱动器,能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2181M的高侧在

    2023-06-29 09:10 重华电子 企业号

  • IRLF120 功率MOSFET

    型号:IRLF120 功率<b class='flag-s-7'>MOSFET</b> 品牌:

    IRLF120 功率MOSFET详解产品概述:IRLF120 是一款高效的N沟道功率MOSFET,专为低电压高电流应用设计。其优越的导通性能和快速的开关特性,使其成为电源转换和电机

    2024-10-27 18:32 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

  • 半桥IGBT MOSFET驱动

    型号:TF2103M-TAH 品牌:德律风根

       TF2103M是一种高压、高速的栅极驱动器,能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2103M高侧切换到600V的引导操作

    2023-06-25 16:39 重华电子 企业号

  • 高低边IGBT MOSFET驱动

    型号:TF2011M-TAH 品牌:德律风根

           TF2011M是一种高压、高速的栅极驱动器,能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2011的高侧能够

    2023-06-29 10:58 重华电子 企业号

  • 半桥IGBT MOSFET驱动

    型号:TF2183M-TAH 品牌:德律风根

                   TF2183(4)M是一种高压、高速的栅极驱动器,能够在半桥式配置中驱动n-通道

    2023-02-27 17:04 重华电子 企业号

  • 高低边 IGBT MOSFET 栅极驱动IC

    型号:TF2181M-TAH 品牌:德律风根

           TF2181M是一种高压、高速的栅极驱动器,能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2181M的高侧在

    2023-02-23 09:34 重华电子 企业号