开关MOSFET中产生振铃和电压尖峰的现象是电力电子转换过程中常见的问题，尤其是在高频开关应用中更是如此。这接下来，我们将详细探讨这些现象的起因。 振铃的成因 寄生电感：在MO
2024-06-09 11:29
MOSFET的驱动
2018-08-23 01:09
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:54
如何判断SW节点的振铃是否在MOSFET承受范围内？TI的许多集成MOSFET的同步降压芯片只标注了Vin的电压规格，对于集成的MOSFET的雪崩击穿能量等没有详细的参
2019-04-08 11:57
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的驱动电流大小并不是一个固定的值，它受到多种因素的影响，包括MOSFET的具体型号、工作条件（如开关频率、栅极电压VGS、漏源电压VDS等）、以及
2024-07-24 16:22
功耗是指MOSFET在指定的热条件下可以连续耗散的最大功率。对于MOSFET驱动器而言，其功耗主要由三部分组成：驱动损耗、开关损耗和导通损耗。这些损耗的产生与
2024-10-10 15:58
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用 下面是我对MOSFET及MOSFET
2009-12-29 10:41
本文首先介绍了振铃效应原理，其次介绍了振铃效应产生的原因及在实际电路中减小和抑制振铃方法，最后介绍了图像处理中振铃的现象。
2018-05-14 10:18
IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设
2021-02-08 17:38
文章开头图片中，激励源VG1是2MHz的方波，经过L1和C1，输出端VF2的边沿有明显的振铃。问在此电路基础上，不调激励源频率，不调L和C数值，如何抑制振铃？
2024-07-29 10:52
