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MD18624高频栅极驱动器是设计用于驱动低侧n通道具有最大控制灵活性的mosfet独立的输入。每个通道可以源和汇5A峰值电流以及轨对轨输出能力。2.2nF负载下7ns/6ns上升和下降时间降低

2025-01-06 10:00 腾震粤电子 企业号

简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑

2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。  ir2110替代芯片ID7

2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号

关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容

2022-11-08 10:31 嘉瀚芯科技 企业号

一、实验目的客户在使用HJS113B正弦信号发生器的过程中，希望我方能优化输出幅度温漂，我方组织技术人员根据客户提议进行问题复现并研究改进措施。二、产品组成简介HJS113B是一种AGC型文氏电桥

2022-07-29 10:44 陕西航晶微电子有限公司 企业号

。每个H桥的功率输出模块由N沟道功率MOSFET组成，用于驱动电机绕组。每个H桥均具备调节或限制绕组电流的电路。该模块还提供过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护，并

2024-04-07 21:44 深圳上大科技 企业号

这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号

NSi6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管的多种应用场景。它具有很强的驱动能力，可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流。同

2022-10-27 12:32 德瑞泰电子 企业号