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（典型值），采用SOW-18（宽体）封装， 高达5000Vrms的隔离电压，适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功

2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止

2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

MD18624高频栅极驱动器是设计用于驱动低侧n通道具有最大控制灵活性的mosfet独立的输入。每个通道可以源和汇5A峰值电流以及轨对轨输出能力。2.2nF负载下7ns/6ns上升和下降时间降低

2025-01-06 10:00 腾震粤电子 企业号

的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。&

2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号

ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机

2023-03-29 09:24 深圳市骊微电子科技 企业号

。每个H桥的功率输出模块由N沟道功率MOSFET组成，用于驱动电机绕组。每个H桥均具备调节或限制绕组电流的电路。该模块还提供过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护，并

2024-04-07 21:44 深圳上大科技 企业号

概述 AS7210AP是一款用于替代反激变换器中 副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关， 内置60V超低导通阻抗功率 MOSFET 以提升 系统效率。支持 “High Side 浮地”和“Low

2023-10-14 16:09 腾震粤电子 企业号

这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号

输出模块由N沟道功率MOSFET组成，用于驱动电机绕组。每个H桥均具备调节或限制绕组电流的电路。该器件利用故障输出引脚实现内部关断功能，提供过流保护、短路保护、欠压锁定

2023-03-16 20:30 深圳上大科技 企业号

AS7202是一种次级侧同步整流器回程转换器。它集成了超低导通状态电阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二极管的高效率。AS7202支持高侧和低侧应用。AS7202内置高压电源的VDD电容器

2023-10-17 17:53 腾震粤电子 企业号